半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺昌规; 松本晃广; 竹冈忠士; 国政文枝 |
| 发表日期 | 2007-02-21 |
| 专利号 | CN1301578C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且在垂直于半导体基底表面的方向上，窗口区域中的光强分布要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。 |
| 公开日期 | 2007-02-21 |
| 申请日期 | 2004-09-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91426]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺昌规,松本晃广,竹冈忠士,等. 半导体激光器及其制造方法. CN1301578C. 2007-02-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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