半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 田中明; 小野村正明 |
| 发表日期 | 2008-04-09 |
| 专利号 | CN100380696C |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 提供一种半导体发光元件，包括：形成于结晶衬底上的第1导电型的第1覆盖层；形成于第1覆盖层上的有源层；形成于有源层上、防止杂质扩散到有源层中的防扩散层；形成于防扩散层上、防止注入到有源层中的载流子的溢出的与第1导电型不同的第2导电型的防止溢出层；以及形成于防止溢出层上的第2导电型的第2覆盖层。 |
| 公开日期 | 2008-04-09 |
| 申请日期 | 2005-04-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91447]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中明,小野村正明. 半导体激光元件. CN100380696C. 2008-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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