半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤启司; 木户口勋; 高山彻; 今藤修 |
| 发表日期 | 2005-02-02 |
| 专利号 | CN1574526A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明的半导体激光器装置，在基片(101)上至少含有第1导电型的包覆层(102)、活性层(104)和第2导电型的包覆层(107)，其中，具有用于注入载流子的条形结构(117)，射出激光的谐振器的前方端面的条形的宽度大于位于相反侧的后方端面的条形的宽度，而且，前方端面的反射率低于后方端面的反射率。由此，能够根据半导体激光器内部的谐振器方向的光强度分布，控制载流子向活性层(104)注入，能够谋求降低阈值电流，提高斜度效率及提高纽结水平，能够提供一种在高光输出工作时也能以基横模稳定振荡激光的半导体激光器装置。 |
| 公开日期 | 2005-02-02 |
| 申请日期 | 2004-05-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91462]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤启司,木户口勋,高山彻,等. 半导体激光器. CN1574526A. 2005-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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