带有至少一个电流势垒的边发射半导体激光器芯片
文献类型：专利
| 作者 | H·科尼格; C·劳尔; M·米勒; M·鲁弗; B·迈耶 |
| 发表日期 | 2011-01-26 |
| 专利号 | CN101960682A |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 带有至少一个电流势垒的边发射半导体激光器芯片 |
| 英文摘要 | 说明了一种边发射半导体激光器芯片(1)，其具有：-至少一个接触带(2)，其中所述接触带(2)具有宽度B；-有源区(14)，在半导体激光器芯片(1)工作时在该有源区(14)中产生电磁辐射；-至少两个电流势垒(4)，所述电流势垒(4)被布置在接触带(2)的不同侧上并且沿着接触带(2)延伸，其中选择在所述电流势垒(4)的至少一个和接触带(3)之间的最大距离V使得最大距离V与宽度B的比V/B＞1。 |
| 公开日期 | 2011-01-26 |
| 申请日期 | 2008-12-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91463]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | H·科尼格,C·劳尔,M·米勒,等. 带有至少一个电流势垒的边发射半导体激光器芯片. CN101960682A. 2011-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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