一种半导体激光器腔镜制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 吴建耀; 宋克昌; 杨国文
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| 发表日期 | 2015-02-25 |
| 专利号 | CN104377543A |
| 著作权人 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器腔镜制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体表面改性技术领域，具体涉及一种半导体激光器腔镜制备方法，包括以下步骤：步骤一，清洁；步骤二，钝化改性；步骤三，介质膜镀膜；步骤四，翻转，重复步骤一到步骤三，步骤五,移出；该半导体激光器腔镜改性方法，可以兼容化学和物理表面改性技术，提高了表面处理的选择性和完整性；使表面清洁，钝化改性和双面腔镜介质膜镀膜在同一真空腔中一次完成，减少了样品进出操作次数和可能带来的污染和损坏，提高了成本率，并极大提高了生产效率；本方法在同一设备基础上集成了表面清洁，改性钝化和介质膜技术，使表面处理各步骤建立了无缝衔接，提高了成品的性能以及成品率；更进一步，双端面介质膜腔镜的处理也一步完成，更强化了生产效率和质量稳定性；本方法适合批量处理，生产效率高，综合成本低。 |
| 公开日期 | 2015-02-25 |
| 申请日期 | 2014-11-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91473]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴建耀,宋克昌,杨国文. 一种半导体激光器腔镜制备方法. CN104377543A. 2015-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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