半导体激光器、光拾取器件及光记录和/或复制装置
文献类型:专利
作者 | 佐原健志 |
发表日期 | 1998-01-07 |
专利号 | CN1169608A |
著作权人 | 索尼株式会社 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体激光器、光拾取器件及光记录和/或复制装置 |
英文摘要 | 半导体激光器包括衬底,在衬底上的第一包层,在第一包层上的有源层,在有源层上的第二包层;第二包层具有平行于p-n结方向并且垂直于谐振腔纵向方向上的多个等效复折射率台阶。使用半导体激光器作为光源的光拾取器件,以及使用该半导体激光器作为光源的光记录/复制装置。 |
公开日期 | 1998-01-07 |
申请日期 | 1997-06-13 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91478] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 索尼株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐原健志. 半导体激光器、光拾取器件及光记录和/或复制装置. CN1169608A. 1998-01-07. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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