GaN基脊型激光二极管的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 孟令海; 康香宁; 刘宁炀; 陈景春; 吴勇; 刘诗宇; 胡晓东
|
| 发表日期 | 2014-03-05 |
| 专利号 | CN103618212A |
| 著作权人 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN基脊型激光二极管的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先，通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层，然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次，通过背向曝光技术实现第二次光刻，挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，实现光刻图形。最后，根据负性光敏性热固化涂层胶的性质，通过高温固化手段得到结构完整规则的绝缘层。本发明的特点在于同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层开窗口条件难于掌控的问题。 |
| 公开日期 | 2014-03-05 |
| 申请日期 | 2013-12-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91484]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孟令海,康香宁,刘宁炀,等. GaN基脊型激光二极管的制备方法. CN103618212A. 2014-03-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。