具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 郭准燮; 河镜虎; 成演准 |
| 发表日期 | 2004-01-21 |
| 专利号 | CN1469518A |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法。该半导体激光二极管包括：衬底；第一材料层，沉积于该衬底上；有源层，沉积于该第一材料层上，并且发射激光光束；以及，第二材料层，沉积于该有源层上，并且包括由该有源层凸出的脊形部分，以及通过向该脊形部分的周边部分注入离子形成的、从而限制注入该有源层的电流的电流限制层。因此，可以制造具有低共振临界电流值的改进的半导体激光二极管，其可以移除光分布中的损失并在保持脊形部分宽度的同时减小注入该有源层中的电流的分布宽度。 |
| 公开日期 | 2004-01-21 |
| 申请日期 | 2003-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91511]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭准燮,河镜虎,成演准. 具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法. CN1469518A. 2004-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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