半导体激光器件及其制造方法和激光器条锁定装置
文献类型：专利
| 作者 | 大岛升 |
| 发表日期 | 2003-07-09 |
| 专利号 | CN1428904A |
| 著作权人 | 夏普公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件及其制造方法和激光器条锁定装置 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器芯片，其具有一有源层和一形成半导体激光器芯片的下表面的整体覆盖的电极；一Si薄膜，形成在该半导体激光器芯片的发光端面上；一保护膜，具有规定的反射率且形成在该Si薄膜上。该Si薄膜由形成在发光端面的上部的一上Si薄膜和形成在发光端面的下部的一下Si薄膜构成；该上Si薄膜覆盖该有源层的一端，该下Si薄膜覆盖该整体覆盖的电极的一端；该下Si薄膜的厚度比该上Si薄膜的厚度小。这样，防止了整体覆盖的电极的成份扩散到覆盖有源层的上Si薄膜中。这样，防止最大光输出值的降低，增加激光器芯片的可靠性。本发明还公开了此半导体激光器的制造方法及一种应用此激光器的激光器条锁定装置。 |
| 公开日期 | 2003-07-09 |
| 申请日期 | 2002-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91527]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大岛升. 半导体激光器件及其制造方法和激光器条锁定装置. CN1428904A. 2003-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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