复合波激光光源及曝光装置
文献类型：专利
| 作者 | 冈崎洋二; 永野和彦; 蔵町照彦 |
| 发表日期 | 2004-08-25 |
| 专利号 | CN1523450A |
| 著作权人 | 亚得科技工程有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 复合波激光光源及曝光装置 |
| 英文摘要 | 本发明涉及复合波激光光源及曝光装置。由包括准直透镜(11～17)及聚光透镜(20)的聚光光学系统将从GaN系列半导体激光器(LD1～7)射出的激光束(B1～7)聚光后耦合到多模光纤(30)而进行复合。作为半导体激光器，采用芯片状态的单谐振腔氮化物系化合物半导体激光器(LD1～7)，将其隔着副基座(9)安装在Cu或Cu合金制散热基座(10)上，副基座(9)，采用热膨胀系数为3.5～6.0×10－6/℃的材料并按200～400μm的厚度形成，半导体激光器(LD1～7)，相对于该副基座，在两者的结合面内分割为多个AuSn共晶焊料层及金属化层，并以结朝下结构分割焊接。 |
| 公开日期 | 2004-08-25 |
| 申请日期 | 2003-07-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91541]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 亚得科技工程有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈崎洋二,永野和彦,蔵町照彦. 复合波激光光源及曝光装置. CN1523450A. 2004-08-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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