中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
半導体発光装置およびその製造方法

文献类型:专利

作者近藤 崇; 山本 将央; 吉川 昌宏
发表日期2009-08-27
专利号JP2009194229A
著作权人FUJI XEROX CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光装置およびその製造方法
英文摘要(修正有) 【課題】小型化された半導体発光素子の実装が可能であり、かつ高温高湿下で安定して動作することができる半導体発光装置を提供する。 【解決手段】半導体発光装置100は、レーザ光を出射するVCSEL120と、VCSEL120を搭載するガラス基板140と、ガラス基板140上においてVCSEL120の周囲を封止する樹脂150とを含んでいる。VCSEL120のp側電極122は、透明電極142に接続され、樹脂150によって露出されたn側電極124は、ボンディングワイヤ160によってガラス基板上の配線パターン144に接続される。VCSEL120のレーザ光はガラス基板140を透過して外部へ出射される。 【選択図】図1
公开日期2009-08-27
申请日期2008-02-15
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91561]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FUJI XEROX CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
近藤 崇,山本 将央,吉川 昌宏. 半導体発光装置およびその製造方法. JP2009194229A. 2009-08-27.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。