半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 川崎和重; 中川康幸; 松冈裕益 |
| 发表日期 | 2010-09-29 |
| 专利号 | CN101257187B |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种即使用于构成在半导体激光器端面上形成的反射膜的电介质膜的膜厚和折射率发生变动也能够稳定地控制反射率的半导体激光装置。半导体激光装置具备折射率小于等于3.5的GaN基板(1)和层叠在基板(1)上的半导体层，同时，在与层叠方向垂直的方向上具有一对相向的共振器端面。一个共振器端面上设置有低反射膜(6)，低反射膜(6)由第1电介质膜(8)、第2电介质膜(9)、第3电介质膜(10)和第4电介质膜(11)构成。如果将它们的折射率表示为n1、n2、n3、n4，则其满足n1＝n3、n2＝n4的关系。另外，在第1电介质膜(8)及第3电介质膜(10)、第2电介质膜(9)及第4电介质膜(11)之间，nd+n’d’＝pλ/4(p：整数，λ：激光的振荡波长)的关系成立。 |
| 公开日期 | 2010-09-29 |
| 申请日期 | 2008-02-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91572]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川崎和重,中川康幸,松冈裕益. 半导体激光装置. CN101257187B. 2010-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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