半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 山口勉; 西田武弘; 大仓裕二; 高濑祯 |
| 发表日期 | 2009-11-25 |
| 专利号 | CN101588020A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光器。在脊宽度朝向射出端面扩大的扩张脊型双沟道结构的半导体激光器中，随着光输出的变化，水平方向的远场图形的强度中心以及形状发生变动，不能得到稳定的成品率。本发明提供一种半导体激光器，其通过使脊宽度最窄的地方的两侧的沟道部的宽度比光射出端面部的沟道宽度变宽，能够抑制随着光输出变化的水平方向的远场图形的强度中心的变动，射出远场图形的形状稳定的激光光束。 |
| 公开日期 | 2009-11-25 |
| 申请日期 | 2009-01-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91582]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口勉,西田武弘,大仓裕二,等. 半导体激光器. CN101588020A. 2009-11-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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