氮化物半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 园部雅之; 伊藤范和; 酒井光彦 |
| 发表日期 | 2008-12-10 |
| 专利号 | CN101322253A |
| 著作权人 | 罗姆股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 本发明的目的在于提供一种具有防止反射率降低，同时不会发生活性层的品质下降、亮度降低的光反射层的氮化物半导体发光元件。本发明的氮化物半导体激光器至少包括例如被设置在基板(1)的、并且设置在折射率互不相同的低折射率层(21)和高折射率层(22)交互地层叠的第一光反射层(2)上的发光层形成部(3)，第一光反射层的低折射率层(21)由AlxGa1－xN层(0≤x≤1)的单层构造形成，第一光反射层的高折射率层(22)由AlyGa1－yN层(0≤y≤0.5，y＜x)或者IntGa1－tN层(0＜t≤0.5)和InuGa1－uN层(0＜u≤1，t＜u)的多层构造形成。 |
| 公开日期 | 2008-12-10 |
| 申请日期 | 2006-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91593]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 罗姆股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 园部雅之,伊藤范和,酒井光彦. 氮化物半导体发光元件. CN101322253A. 2008-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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