半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 高濑祯 |
| 发表日期 | 2009-07-15 |
| 专利号 | CN100514777C |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明可提供“kink”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件，在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域，其中，在上述窗区域的上述脊部两侧具有由光吸收材料构成的埋入层。 |
| 公开日期 | 2009-07-15 |
| 申请日期 | 2004-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91613]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高濑祯. 半导体激光元件. CN100514777C. 2009-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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