光抽运的表面发射半导体激光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | T·阿尔布雷希特; N·林德; J·卢夫特 |
| 发表日期 | 2007-01-31 |
| 专利号 | CN1905300A |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光抽运的表面发射半导体激光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构(1)和至少一个用于量子阱结构(11)的光抽运的抽运辐射源(20)，而抽运辐射源(20)则具有一个边缘发射的半导体结构(21)。产生辐射的量子阱结构(11)和边缘发射的半导体结构(21)在一个共同的衬底(1)上外延生长。用这种单片制成的半导体激光器件有利于产生辐射的量子阱结构的很有效和均匀的光抽运。此外，本发明提出了这类半导体激光器件的制造方法。 |
| 公开日期 | 2007-01-31 |
| 申请日期 | 2001-05-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91627]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | T·阿尔布雷希特,N·林德,J·卢夫特. 光抽运的表面发射半导体激光器件及其制造方法. CN1905300A. 2007-01-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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