面発光型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 櫻井 淳 |
| 发表日期 | 2007-06-28 |
| 专利号 | JP2007165578A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 高温高湿度下で寿命を改善した面発光型半導体レーザを提供する 【解決手段】 VCSEL100は、基板102上に、n型の下部DBR106、活性層領域108、下部DBRとともに共振器を構成するp型の上部DBR112、及びp型のGaAsコンタクト層114を含む半導体層を順次積層する。レーザ光を出射するポストPとパッド形成領域118とが半導体層に形成された溝116によって分離されている。ポストPのコンタクト層114に電気的に接続され、レーザ光の出射領域を規定する開口部132が形成されたp側の上部電極130と、パッド形成領域118上に形成され、パッド形成領域のコンタクト層114を下部DBR106に電気的に接続するための第2の上部電極140とを有している。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2007-06-28 |
| 申请日期 | 2005-12-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91640]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫻井 淳. 面発光型半導体レーザ. JP2007165578A. 2007-06-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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