四波长输出半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 魏思航; 张宇; 廖永平; 倪海桥; 牛智川 |
| 发表日期 | 2017-02-22 |
| 专利号 | CN106451076A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 四波长输出半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、下匹配层、下波导层、有源区、上波导层、上匹配层、上DBR层、接触层、绝缘层和P型电极；其中上DBR层和接触层经刻蚀形成脊形波导和双电极结构。本发明能通过半导体激光器内部模式匹配获得四种不同波长的输出，且通过控制其中一端电极可获得调谐激光器的波长以及转换激光器工作状态的效果，基于此结构的器件首次同时获得069μm、353μm、77μm、2.71μm的连续以及脉冲输出。 |
| 公开日期 | 2017-02-22 |
| 申请日期 | 2016-10-09 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91645]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏思航,张宇,廖永平,等. 四波长输出半导体激光器及其制备方法. CN106451076A. 2017-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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