光半导体激光器装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 冈田真琴; 玄永康一 |
| 发表日期 | 2001-09-19 |
| 专利号 | CN1313662A |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半导体激光器装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提供一种可靠性高且生产率高的半导体激光器装置及其制造方法。该半导体激光器装置包括:基板;在其上形成的发出第一、第二波长的激光的第一、第二激光器元件部;在上述第一、第二激光器元件部的前端面、后端面上一并形成的同一厚度的前端面膜、由同一厚度的多个薄膜构成的后端面膜;上述前端面膜的厚度和上述后端面膜的多个薄膜的厚度是基于上述第一和第二波长的平均波长λ的光学长度d=(1/4+j)×λ,(j=0、1、2…)。 |
| 公开日期 | 2001-09-19 |
| 申请日期 | 2001-03-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91695]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈田真琴,玄永康一. 光半导体激光器装置及其制造方法. CN1313662A. 2001-09-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。