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半导体激光装置及光装置

文献类型:专利

作者秋吉新一郎; 清水源; 三桥大树
发表日期2012-03-14
专利号CN102377110A
著作权人三洋电机株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光装置及光装置
英文摘要本发明提供一种半导体激光装置及光装置。所述半导体激光装置具备:基台,其包括台阶部、台阶部的下侧的第一上表面、台阶部的上侧的第二上表面;第一半导体激光元件,其接合在第一上表面上,且在上侧具有第一发光区域;第二半导体激光元件,其接合在第二上表面上,且在下侧具有第二发光区域。并且,在基台水平配置的状态下,第一发光区域位于比第二上表面靠上方的位置。
公开日期2012-03-14
申请日期2011-08-22
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91706]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
秋吉新一郎,清水源,三桥大树. 半导体激光装置及光装置. CN102377110A. 2012-03-14.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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