半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 奥贯雄一郎 |
| 发表日期 | 2010-09-29 |
| 专利号 | CN101847827A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种在半导体激光器的谐振器端面与反射膜的界面附近中难以发生劣化、阈值电流低、成品率高的半导体激光装置。其中，密接于谐振器端面，配设层厚λ/2(λ是介质内波长)的SiO2膜(40)，在该SiO2膜(40)上，通过将由密接于SiO2膜(40)的第1层的层厚为λ/4的a-Si膜(42a)、和第2层的层厚为λ/4的SiO2膜(42b)构成二重电介质膜(42)适宜地重叠，由此构成前部高反射率膜(28)或后部高反射率膜(30)。 |
| 公开日期 | 2010-09-29 |
| 申请日期 | 2009-12-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91727]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥贯雄一郎. 半导体激光装置. CN101847827A. 2010-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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