中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
半导体激光激励固体激光装置

文献类型:专利

作者町田久忠; 吉田宏之; 高桥广光; 西川佑司
发表日期2006-05-03
专利号CN1767282A
著作权人发那科株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光激励固体激光装置
英文摘要本发明提供一种半导体激光激励固体激光装置,在通过用半导体激光器(2)激励固体激光介质(1),进行激光振荡的半导体激光激励固体激光装置(11)中,具有用来自外部的控制信号,将上述半导体激光器的动作电流切换成以该半导体激光器的振荡阈值(L-LD)或阈值以上的电流值通电的状态、和以小于上述半导体激光器的振荡阈值的电流值通电的状态的驱动电流切换单元(71),因此,即使在固体激光器的振荡停止中,也能通过从外部控制装置控制激光器振荡控制部,降低激光加工系统的消费电力,而且能使半导体激光器长寿命化。
公开日期2006-05-03
申请日期2005-10-25
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91738]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位发那科株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
町田久忠,吉田宏之,高桥广光,等. 半导体激光激励固体激光装置. CN1767282A. 2006-05-03.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。