一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 崔碧峰; 张松; 计伟; 陈京湘; 王晓玲; 苏道军 |
| 发表日期 | 2013-11-20 |
| 专利号 | CN103401140A |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通；腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角，腐蚀后上限制层的四角不贯通；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构，形成侧向弱折射率波导结构，有效地抑制了光束在水平方向上的发散。 |
| 公开日期 | 2013-11-20 |
| 申请日期 | 2013-07-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91741]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔碧峰,张松,计伟,等. 一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器. CN103401140A. 2013-11-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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