改变半导体激光器bar慢轴方向光场分布的方法
文献类型：专利
| 作者 | 王智勇; 尧舜; 贾冠男; 潘飞; 高祥宇; 李峙 |
| 发表日期 | 2014-07-23 |
| 专利号 | CN103944065A |
| 著作权人 | 华芯半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 改变半导体激光器bar慢轴方向光场分布的方法 |
| 英文摘要 | 改变半导体激光器bar慢轴方向光场分布的方法，主要步骤包括：选取bar条具有数个不同条宽的半导体激光阵列器件；将各发光单元条宽按一定方式依次排列光刻；在所述排列中各相邻阵列器件之间，选取不同的间距；根据特定要求，将所述半导体激光阵列器件的条宽和间距按照一定的尺寸光刻，使bar慢轴方向光场按所述特定要求分布。本发明方法直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅可以使半导体激光bar获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高了激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，而且还避免了其结构的复杂化，使其得到更加广泛的应用。 |
| 公开日期 | 2014-07-23 |
| 申请日期 | 2014-03-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91745]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华芯半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王智勇,尧舜,贾冠男,等. 改变半导体激光器bar慢轴方向光场分布的方法. CN103944065A. 2014-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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