半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 中川康幸; 蔵本恭介 |
| 发表日期 | 2009-07-29 |
| 专利号 | CN101494358A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明得到将镀膜的反射率设定在3～13％的范围内，并防止镀膜剥离，且可确保半导体激光器的可靠性的半导体激光器。在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第一绝缘膜和第二绝缘膜的光学膜厚之和为λ/4的奇数倍，第一绝缘膜对GaN的密合性强于第二绝缘膜，第一绝缘膜的折射率为9以下，第二绝缘膜的折射率为2～2.3。 |
| 公开日期 | 2009-07-29 |
| 申请日期 | 2009-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91795]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中川康幸,蔵本恭介. 半导体激光器. CN101494358A. 2009-07-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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