含有铍的II－VI型蓝－绿激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 托马斯·J·米勒; 迈克·A·哈斯; 保罗·F·博德; 迈克·D·帕施雷 |
| 发表日期 | 1999-07-14 |
| 专利号 | CN1223022A |
| 著作权人 | 明尼苏达矿业和制造公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 含有铍的II－VI型蓝－绿激光二极管 |
| 英文摘要 | 一种Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体激光二极管(10)包括若干Ⅱ－Ⅵ族半导体叠层,它们构成一个由镓砷半导体基片(12)所支持的PN结。在该PN结中形成的该叠层包括第一传导型的第一包覆层(20),第二传导型的第二包覆层(22),以及至少一个在上述第一和第二包覆层(20,22)之间的第一导引层(14)。一个离子井活性叠层(18)设在该PN结内。电能通过第一和第二电极(40,41)连接至上述激光二极管(10)。在该激光二极管中形成各类叠层(14、16、20、22、36、38)时均使用了铍。 |
| 公开日期 | 1999-07-14 |
| 申请日期 | 1997-01-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91814]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 明尼苏达矿业和制造公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 托马斯·J·米勒,迈克·A·哈斯,保罗·F·博德,等. 含有铍的II－VI型蓝－绿激光二极管. CN1223022A. 1999-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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