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光伝送装置および製造方法

文献类型:专利

作者吉田 英司; 清水 貴志; 松井 潤; 山本 毅
发表日期2016-02-04
专利号JP2016021493A
著作权人富士通株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光伝送装置および製造方法
英文摘要【課題】電子回路の発熱による光電変換素子の特性劣化を抑えること。 【解決手段】VCSEL160は、CMOSチップ110の面に対してバンプ104,105を介して電気的に接続されている。ヒートインシュレータ173は、CMOSチップ110とVCSEL160との間に設けられ、CMOSチップ110からVCSEL160への熱移動を遮る。クーリングプレート171は、CMOSチップ110とヒートインシュレータ173との間に設けられCMOSチップ110を冷却する。クーリングプレート172は、ヒートインシュレータ173とVCSEL160との間に設けられVCSEL160を冷却する。 【選択図】図1A
公开日期2016-02-04
申请日期2014-07-14
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91816]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士通株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
吉田 英司,清水 貴志,松井 潤,等. 光伝送装置および製造方法. JP2016021493A. 2016-02-04.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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