用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 汤庆敏; 张新; 刘存志; 张骋; 徐现刚 |
发表日期 | 2015-11-18 |
专利号 | CN105071222A |
著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法 |
英文摘要 | 一种用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法,该芯片厚度为125-145μm,衬底层的N电极和有源区P面电极之间距离为125-145μm;有源区P面电极的正投影面积仅存有源区P面电极与P面电极焊盘区域。在芯片制备过程,优选了芯片有源区P面电极的结构设计,减小有源区P面电极面积至仅存P面脊区与焊盘区域,其脊区偏向芯片一端,将焊盘位于芯片中央可实现脉冲驱动下的650半导体激光器更高的频率响应时间,从而实现通信的高速传输。本发明提升了半导体激光芯片的频率响应时间,满足高频通信中采用的脉冲驱动,从而可以将廉价的650半导体激光器用于通信的光源,从而达成了塑料光纤取代石英光纤而实现高速传输的目的。 |
公开日期 | 2015-11-18 |
申请日期 | 2015-09-21 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91827] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 汤庆敏,张新,刘存志,等. 用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法. CN105071222A. 2015-11-18. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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