具有电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松村拓明; 柳本友弥 |
| 发表日期 | 2005-02-09 |
| 专利号 | CN1578029A |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | (A)在由氮化镓系化合物半导体构成的活性层p侧或n侧，形成：(a)由含有Al，而且Al比率小于电流狭窄层(30)的氮化镓系化合物半导体构成的第1半导体层(22)、(b)在第1半导体层(22)上形成的，由Al比率小于第1半导体层(22)的氮化镓系化合物半导体构成的第2半导体层(24)、和(c)由InxAlyGa1－x－yN(0≤x≤0.1，0.5≤y≤1，0.5≤x+y≤1)构成，并具有条状开口部的电流狭窄层；(B)通过蚀刻去除，从电流狭窄层(30)的开口部(32)中除去第2半导体层(24)。 |
| 公开日期 | 2005-02-09 |
| 申请日期 | 2004-06-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91876]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松村拓明,柳本友弥. 具有电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件及其制造方法. CN1578029A. 2005-02-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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