半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | 滨冈治; 中津弘志; 市川英树 |
| 发表日期 | 2005-04-27 |
| 专利号 | CN1610197A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器件，包括一体子安装件(3)，所述子安装件(3)由预定材料(例如SiC或AlN)组成并放置在安装表面(9)上。激光二极管(1)放置在子安装件(3)上表面的前部分。由晶体硅组成的监视光电二极管(4)堆叠在从激光二极管(1)向后的子安装件3上表面的一部分上。 |
| 公开日期 | 2005-04-27 |
| 申请日期 | 2004-10-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91908]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 滨冈治,中津弘志,市川英树. 半导体激光器件. CN1610197A. 2005-04-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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