半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 沃尔夫冈·施密德; 马丁·穆勒 |
| 发表日期 | 2010-09-22 |
| 专利号 | CN101390263B |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种半导体激光装置，该半导体激光装置具有：光泵浦的表面发射的垂直发射器(1)，该垂直发射器在垂直主辐射方向上发射；以及至少一个单片集成的泵浦辐射源(2)，用于垂直发射器(1)的光泵浦，其中泵浦辐射源在横向于垂直主辐射方向走向的泵浦主辐射方向上发射泵浦辐射。根据第一实施形式，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)的至少一个垂直区段在横向于泵浦主辐射方向和横向于垂直主辐射方向的横向方向上对于泵浦辐射以折射率引导的方式实施。在第二实施形式中，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)在至少一个垂直区段中在横向于泵浦主辐射方向的横向方向上具有比在另一垂直区段中更小的宽度。通过这种方式，在合适的设计的情况下实现了，泵浦辐射的模式完全地或者至少部分地在垂直方向上从该区段中被挤压，由此可以有利地减小泵浦辐射在导电层上的吸收损耗。 |
| 公开日期 | 2010-09-22 |
| 申请日期 | 2007-02-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91922]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沃尔夫冈·施密德,马丁·穆勒. 半导体激光装置. CN101390263B. 2010-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。