垂直キャビティ面発光レ—ザデバイスのモノリシックアレイ
文献类型:专利
作者 | ムハマッド アシュラフル アラム; マーク エス ハイバーテェン |
发表日期 | 2000-08-11 |
专利号 | JP2000223792A |
著作权人 | ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 垂直キャビティ面発光レ—ザデバイスのモノリシックアレイ |
英文摘要 | 【課題】 複数の波長で発光するVCSEL(垂直キャビティ面発光レーザ)デバイスのモノリシックアレイにおいて、アレイ内の個々のデバイスの利得ピークをキャビティモードに同調させ、それぞれ指定された波長で発光するデバイスからなるアレイを高い再現性および精度で実現する。 【解決手段】 各デバイスは、上部ミラー235と、下部ミラー210と、上部閉込め層と、下部閉込め層215と、両側に境界層を有する量子井戸層225とを有し、下部ミラー210、下部閉込め層215および上部ミラー235の厚さはアレイ内のすべてのデバイスを通じてほぼ同一であり、第1波長で発光するデバイスの量子井戸層の厚さは、第2波長で発光するデバイスのの量子井戸層の厚さとは異なる。デバイスは、発光波長とピーク利得波長の間に所定の関係(例えば、約5nmの範囲内)を有する。 |
公开日期 | 2000-08-11 |
申请日期 | 2000-01-25 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91931] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ムハマッド アシュラフル アラム,マーク エス ハイバーテェン. 垂直キャビティ面発光レ—ザデバイスのモノリシックアレイ. JP2000223792A. 2000-08-11. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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