半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 福久敏哉; 古川秀利 |
| 发表日期 | 2007-02-28 |
| 专利号 | CN1302589C |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种包含一个衬底(101)和至少两个有源层(103、106)的半导体激光器，其中分别包含所述有源层(103、106)的两个谐振器(201、204)相互平行布置，并且其中在所述谐振器(201、204)中，所述有源层(103、106)的注入电流区具有不同的长度。这样，在本发明所述的双波长激光器中，通过克服由解理确定的对所述谐振器(201、204)的长度限制，能够独立地设计和制造不同特性的诸如红色激光器和红外激光器等多个激光器的有效谐振器长度，采用适于各个理想特性的谐振器长度，并且提供具有改善的激光特性的半导体。 |
| 公开日期 | 2007-02-28 |
| 申请日期 | 2004-11-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91966]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久敏哉,古川秀利. 半导体激光器及其制造方法. CN1302589C. 2007-02-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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