外延生长用基板、GaN类半导体膜的制造方法、GaN类半导体膜、GaN类半导体发光元件的制造方法以及GaN类半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 冈川广明; 工藤广光; 中井辉久; 金成珍 |
| 发表日期 | 2011-01-05 |
| 专利号 | CN101939820A |
| 著作权人 | 丰田合成株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 外延生长用基板、GaN类半导体膜的制造方法、GaN类半导体膜、GaN类半导体发光元件的制造方法以及GaN类半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 本发明的外延生长用基板至少在表层部分具有由不同于GaN类半导体的材料构成的单晶部；并且具有包含多个凸部和多个生长空间的凹凸面作为其外延生长用表面，其中，所述多个凸部的排列使得每个凸部分别在相隔120度的不同方向上具有3个最接近的其它凸部；所述多个生长空间中的每个生长空间被6个上述凸部所包围；上述单晶部至少在上述生长空间处露出，并可由此实现从上述生长空间中生长出c轴取向的GaN类半导体晶体。 |
| 公开日期 | 2011-01-05 |
| 申请日期 | 2009-02-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91973]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 丰田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈川广明,工藤广光,中井辉久,等. 外延生长用基板、GaN类半导体膜的制造方法、GaN类半导体膜、GaN类半导体发光元件的制造方法以及GaN类半导体发光元件. CN101939820A. 2011-01-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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