一种PiNiN结构晶闸管激光器
文献类型：专利
| 作者 | 王火雷; 丁颖; 王宝军; 边静; 王圩; 潘教青 |
| 发表日期 | 2014-03-19 |
| 专利号 | CN103647217A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种PiNiN结构晶闸管激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种既可以呈现晶闸管电学特性又可以呈现激光器光学特性的PiNiN结构晶闸管激光器，属于半导体光电子领域。本发明的激光器包括依次层叠的N型电极、N型衬底、N型缓冲层、第一N型重掺杂层、第一无掺杂的有源区、第二N型重掺杂层、第二无掺杂的有源区、P型重掺杂层、P型接触层和P型电极。本发明的晶闸管激光器中引入重掺杂N层和重掺杂P层，以及无掺杂的i层，在获得晶闸管电学特性的同时，可以获得高功率和低阈值的激光器光学特性。 |
| 公开日期 | 2014-03-19 |
| 申请日期 | 2013-12-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91975]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王火雷,丁颖,王宝军,等. 一种PiNiN结构晶闸管激光器. CN103647217A. 2014-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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