制造发光元件的方法和发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 善积祐介; 上野昌纪; 中村孝夫; 上田登志雄; 高须贺英良; 千田裕彦 |
| 发表日期 | 2011-11-09 |
| 专利号 | CN102239574A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制造发光元件的方法和发光元件 |
| 英文摘要 | 一种用于制造发光元件的方法涉及用于制造III-V族化合物半导体的发光元件的方法，所述III-V族化合物半导体具有包括In和N的量子阱结构，所述方法包括如下步骤：形成包括In和N的阱层(13a)；形成势垒层(13b)，所述势垒层(13b)具有的带隙比所述阱层(13a)的带隙宽；以及在形成所述阱层(13a)的步骤之后以及形成所述势垒层(13b)的步骤之前，供应包括N的气体并且中断外延生长。在中断外延生长的所述步骤中，供应具有的分解效率高于N2和NH3在900℃下分解为活性氮的分解效率的气体。另外，在中断外延生长的步骤中，供应与用作阱层(13a)的N源的气体不同的气体。 |
| 公开日期 | 2011-11-09 |
| 申请日期 | 2010-01-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91978]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 善积祐介,上野昌纪,中村孝夫,等. 制造发光元件的方法和发光元件. CN102239574A. 2011-11-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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