一种多边形-环硅基激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 隋少帅; 黄永箴; 唐明英; 杨跃德; 肖金龙; 杜云 |
| 发表日期 | 2015-12-09 |
| 专利号 | CN105140778A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种多边形-环硅基激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种多边形-环硅基激光器，包括：一带有波导结构的SOI片；一键合层，位于所述SOI片之上；一半导体多边形-环谐振腔，位于所述键合层之上；其中，所述键合层用于将半导体多边形-环谐振腔和所述SOI片连接在一起，使得所述半导体多边形-环谐振腔中产生的激光耦合到所述SOI片中的波导结构中输出。以及一种多边形-环硅基激光器的制造方法。本发明的硅基激光器结合了硅基微腔激光器低阈值和硅基FP腔激光器耦合长度长的优点，可以同时实现低阈值和高输出功率。 |
| 公开日期 | 2015-12-09 |
| 申请日期 | 2015-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91983]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 隋少帅,黄永箴,唐明英,等. 一种多边形-环硅基激光器及其制备方法. CN105140778A. 2015-12-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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