石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 任正良; 阚强; 袁丽君; 潘教青; 王圩 |
| 发表日期 | 2015-01-28 |
| 专利号 | CN104319630A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法，包括如下步骤：在SOI片的顶层硅上制作硅波导；在制作完硅波导的SOI片上制作石墨烯选区光栅，形成基片；进行金属剥离，得到键合前的SOI部分；在一衬底上依次外延生长下分离限制层、有源区和上分离限制层，形成外延片；刻蚀脊形波导；蒸镀一层金属，金属剥离，得到光耦合窗口和金属电极；减薄衬底，制作背金属电极；利用选区金属键合，完成制作。本发明工艺简单，低散射损耗，是纯增益的DFB硅基混合激光器单模效果好。 |
| 公开日期 | 2015-01-28 |
| 申请日期 | 2014-10-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91985]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任正良,阚强,袁丽君,等. 石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法. CN104319630A. 2015-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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