具有自对准半导体平台和接触层的半导体器件和相关器件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | K・W・哈伯雷恩; M・J・伯格曼恩; R・罗萨多; D・T・埃梅森 |
| 发表日期 | 2006-02-01 |
| 专利号 | CN1729600A |
| 著作权人 | 克里公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有自对准半导体平台和接触层的半导体器件和相关器件的制造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体器件的制造方法，可包括在衬底上形成半导体结构，该半导体结构具有平台侧壁和与衬底相对的平台表面。可在平台表面上形成接触层，其中接触层具有侧壁和与平台表面相对的接触表面，且其中接触层基本上延伸在整个平台表面上。可在平台侧壁上和毗邻平台表面的接触层侧壁的部分上形成钝化层，且该钝化层可基本上暴露接触层的整个接触表面。 |
| 公开日期 | 2006-02-01 |
| 申请日期 | 2003-12-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91988]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 克里公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | K・W・哈伯雷恩,M・J・伯格曼恩,R・罗萨多,等. 具有自对准半导体平台和接触层的半导体器件和相关器件的制造方法. CN1729600A. 2006-02-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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