激光多极管封装底座的刻蚀方法
文献类型：专利
| 作者 | 林一东; 毛红卫 |
| 发表日期 | 2016-08-31 |
| 专利号 | CN105914577A |
| 著作权人 | 杭州华锦电子有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 激光多极管封装底座的刻蚀方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种激光多极管封装底座的刻蚀方法，该激光多极管封装底座的刻蚀方法包括如下步骤：步骤1、分别取经预处理的待刻蚀组件，于其外表面上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；步骤2、取经步骤1处理的待刻蚀组件，置于刻蚀液中进行湿法刻蚀处理；步骤3、取经步骤2处理的待刻蚀组件清洗处理；所述刻蚀液包括35～45wt%的HCl、2～5wt%的H3PO4和0.05～0.2wt%的CH3COONa，其提供了一种针对铁钴镍合金的刻蚀方法。 |
| 公开日期 | 2016-08-31 |
| 申请日期 | 2016-06-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91993]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 杭州华锦电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林一东,毛红卫. 激光多极管封装底座的刻蚀方法. CN105914577A. 2016-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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