在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 桑文斌; 贺英; 王均安; 吴若峰; 钱永彪 |
| 发表日期 | 2005-01-05 |
| 专利号 | CN1560903A |
| 著作权人 | 上海大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种在硅衬底上垂直定向生长ZnO纳米线的复合半导体基板材料及其制备方法。该半导体基板材料，包括衬底及其表面涂层，衬底采用硅(111)片，表面涂层是以高分子配位体形成的碳骨架为缠绕网络，并在其上生长有ZnO晶体。本发明的半导体基板材料的制备方法为：将高分子配位体溶液与锌盐溶液以一定的体积比混合，搅拌均匀后，在一定的温度下发生络合反应，形成配位络合物，将该络合物涂膜在硅(111)片上，在氧气气氛下，在300～600℃温度下加热氧化0.25～6小时，自然降温后即可制得所需产品。本发明的生长温度低、设备简单、成本低、操作条件易控制且便于规模生产，而产品性能佳。 |
| 公开日期 | 2005-01-05 |
| 申请日期 | 2004-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91995]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 桑文斌,贺英,王均安,等. 在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法. CN1560903A. 2005-01-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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