半导体光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 谷口英广; 大木泰 |
| 发表日期 | 2014-01-15 |
| 专利号 | CN103518297A |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体光器件，其具备第一导电型半导体衬底，在半导体衬底的上方依次沉积的第一导电型的第一熔覆层，活性层，第二导电型的第二熔覆层，接触层；活性层具有通过空位扩散而混晶化的窗部及比窗部混晶度小的非窗部；接触层具有第一区域及第二区域，所述第二区域与所述第一区域相比，其与氢的亲和性更强，且位于所述第一区域的下侧。 |
| 公开日期 | 2014-01-15 |
| 申请日期 | 2012-03-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92001]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷口英广,大木泰. 半导体光器件及其制造方法. CN103518297A. 2014-01-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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