发光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 风田川统之; 滨口达史; 泉将一郎; 仓本大 |
| 发表日期 | 2017-05-10 |
| 专利号 | CN106663919A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 发光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 该发光元件至少具有：GaN衬底(11)；第一光反射层(41)，其形成所述GaN衬底(11)上，并且用作选择性生长掩膜层(44)；形成在所述第一光反射层上的第一化合物半导体层(21)、有源层(23)以及第二化合物半导体层(22)；以及形成在所述第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。所述GaN衬底(11)表面的平面方向的离角等于或小于0.4°，所述第一光反射层(41)的面积等于或小于0.8S0，其中，所述GaN衬底(11)的面积由S0表示，并且作为所述第一光反射层的最低层(41A)，热膨胀缓解薄膜(44)形成在所述GaN衬底(11)上。 |
| 公开日期 | 2017-05-10 |
| 申请日期 | 2015-04-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92005]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 风田川统之,滨口达史,泉将一郎,等. 发光元件及其制造方法. CN106663919A. 2017-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。