采用纳米压印技术的Ⅲ族氮化物半导体发光装置
文献类型：专利
| 作者 | 胡建正; 武乐可; 李忠武; 郭茂峰 |
| 发表日期 | 2011-04-06 |
| 专利号 | CN102005514A |
| 著作权人 | 上海蓝宝光电材料有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 采用纳米压印技术的Ⅲ族氮化物半导体发光装置 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种采用纳米压印技术的III族氮化物半导体发光装置。本发明通过采用纳米压印技术制作的绝缘膜图形阵列进行氮化物的选择外延生长，获得了具有较高的外部量子效率、内量子效率以及可靠性的III族氮化物半导体发光装置比如GaN系LED或LD。 |
| 公开日期 | 2011-04-06 |
| 申请日期 | 2009-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92011]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海蓝宝光电材料有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡建正,武乐可,李忠武,等. 采用纳米压印技术的Ⅲ族氮化物半导体发光装置. CN102005514A. 2011-04-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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