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与标准CMOS电路相集成的波导结构及其制作方法

文献类型:专利

作者M·米舍洛夫; S·波斯拉; C·T·加布里尔; M·维林
发表日期2002-09-25
专利号CN1371483A
著作权人NXP股份有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名与标准CMOS电路相集成的波导结构及其制作方法
英文摘要提供了波导结构和制作用于传送光信号的波导的方法。波导结构是通过使用标准CMOS制造操作过程被制成的,并与具有数字CMOS电路的同一个芯片集成在一起。制作波导的示例的方法包括形成一个穿过介质层向下到基片的接触孔,以及用第一金属化涂层涂覆接触孔的侧壁。然后用介质材料填充接触孔。局部波导结构被形成在接触孔的第一金属化涂层和介质材料上。由波导介质结构和被规定在波导介质上的第二金属化涂层规定了局部波导结构。第三金属化涂层被形成来规定隔板连同局部波导结构的侧壁,第一金属化涂层和第二金属化涂层。第三金属化涂层被配置成完成被填充以波导介质材料的波导结构。然后,光信号可以传播通过波导结构,以及与其它CMOS数字电路相接口。
公开日期2002-09-25
申请日期2000-11-02
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92016]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NXP股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
M·米舍洛夫,S·波斯拉,C·T·加布里尔,等. 与标准CMOS电路相集成的波导结构及其制作方法. CN1371483A. 2002-09-25.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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