与标准CMOS电路相集成的波导结构及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | M·米舍洛夫; S·波斯拉; C·T·加布里尔; M·维林 |
| 发表日期 | 2002-09-25 |
| 专利号 | CN1371483A |
| 著作权人 | NXP股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 与标准CMOS电路相集成的波导结构及其制作方法 |
| 英文摘要 | 提供了波导结构和制作用于传送光信号的波导的方法。波导结构是通过使用标准CMOS制造操作过程被制成的,并与具有数字CMOS电路的同一个芯片集成在一起。制作波导的示例的方法包括形成一个穿过介质层向下到基片的接触孔,以及用第一金属化涂层涂覆接触孔的侧壁。然后用介质材料填充接触孔。局部波导结构被形成在接触孔的第一金属化涂层和介质材料上。由波导介质结构和被规定在波导介质上的第二金属化涂层规定了局部波导结构。第三金属化涂层被形成来规定隔板连同局部波导结构的侧壁,第一金属化涂层和第二金属化涂层。第三金属化涂层被配置成完成被填充以波导介质材料的波导结构。然后,光信号可以传播通过波导结构,以及与其它CMOS数字电路相接口。 |
| 公开日期 | 2002-09-25 |
| 申请日期 | 2000-11-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92016]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NXP股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | M·米舍洛夫,S·波斯拉,C·T·加布里尔,等. 与标准CMOS电路相集成的波导结构及其制作方法. CN1371483A. 2002-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。