GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘斌; 陶涛; 智婷; 张荣; 谢自力; 陈鹏 ; 陈敦军; 韩平; 施毅; 郑有炓
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| 发表日期 | 2017-05-31 |
| 专利号 | CN106785913A |
| 著作权人 | 南京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器，由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成，基片结构依次包括：SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层；所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面，其结构依次包括：蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点：(1)具有很小的光模体积，能够突破光的衍射极限，实现亚微米尺寸激光器；(2)具有极低的激射阈值，MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射；(3)能够对激光的模式进行调控，实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示，复杂生物成像，硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。 |
| 公开日期 | 2017-05-31 |
| 申请日期 | 2017-01-04 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92019]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘斌,陶涛,智婷,等. GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法. CN106785913A. 2017-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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