氮化物半导体生长工艺
文献类型：专利
| 作者 | 簗嶋克典; 中岛博 |
| 发表日期 | 2003-03-12 |
| 专利号 | CN1402306A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体生长工艺 |
| 英文摘要 | 公开了一种在结晶的氮化物半导体衬底上生长氮化物半导体的工艺，此工艺如下进行，即借助于对衬底进行加热，并在衬底温度超过1200℃之前开始将源气体馈送到衬底表面上，从而开始在衬底上生长氮化物半导体。在衬底温度已经达到300℃之后，并在已经开始氮源气体的供应之后和衬底温度超过1200℃之前，开始氮化物半导体的生长。 |
| 公开日期 | 2003-03-12 |
| 申请日期 | 2002-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92022]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 簗嶋克典,中岛博. 氮化物半导体生长工艺. CN1402306A. 2003-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。