氮化物半导体生长工艺
文献类型:专利
作者 | 簗嶋克典; 中岛博 |
发表日期 | 2003-03-12 |
专利号 | CN1402306A |
著作权人 | 索尼公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 氮化物半导体生长工艺 |
英文摘要 | 公开了一种在结晶的氮化物半导体衬底上生长氮化物半导体的工艺,此工艺如下进行,即借助于对衬底进行加热,并在衬底温度超过1200℃之前开始将源气体馈送到衬底表面上,从而开始在衬底上生长氮化物半导体。在衬底温度已经达到300℃之后,并在已经开始氮源气体的供应之后和衬底温度超过1200℃之前,开始氮化物半导体的生长。 |
公开日期 | 2003-03-12 |
申请日期 | 2002-08-13 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92022] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 索尼公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 簗嶋克典,中岛博. 氮化物半导体生长工艺. CN1402306A. 2003-03-12. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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