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氮化物半导体生长工艺

文献类型:专利

作者簗嶋克典; 中岛博
发表日期2003-03-12
专利号CN1402306A
著作权人索尼公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名氮化物半导体生长工艺
英文摘要公开了一种在结晶的氮化物半导体衬底上生长氮化物半导体的工艺,此工艺如下进行,即借助于对衬底进行加热,并在衬底温度超过1200℃之前开始将源气体馈送到衬底表面上,从而开始在衬底上生长氮化物半导体。在衬底温度已经达到300℃之后,并在已经开始氮源气体的供应之后和衬底温度超过1200℃之前,开始氮化物半导体的生长。
公开日期2003-03-12
申请日期2002-08-13
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92022]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位索尼公司
推荐引用方式
GB/T 7714
簗嶋克典,中岛博. 氮化物半导体生长工艺. CN1402306A. 2003-03-12.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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