一种中红外激光器的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李耀耀; 李爱珍; 张永刚; 丁惠凤; 李好斯白音 |
| 发表日期 | 2012-07-18 |
| 专利号 | CN102593718A |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种中红外激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。 |
| 公开日期 | 2012-07-18 |
| 申请日期 | 2012-02-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92024]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李耀耀,李爱珍,张永刚,等. 一种中红外激光器的制备方法. CN102593718A. 2012-07-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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