用于制造半导体本体的方法
文献类型：专利
| 作者 | 科比尼安·佩尔茨尔迈尔; 黑里贝特·齐尔; 弗朗茨·埃伯哈德; 托马斯·法伊特; 马蒂亚斯·肯普夫; 延斯·丹尼马克 |
| 发表日期 | 2013-12-25 |
| 专利号 | CN103477453A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于制造半导体本体的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提出一种用于制造半导体本体（3）的方法，其具有下述步骤：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有至少两个芯片区域（1）和设置在芯片区域（1）之间的至少一个分离区域（2），其中，半导体晶圆具有层序列，所述层序列的最外层至少在分离区域（2）内具有透射层（8），所述透射层对于电磁辐射而言是可穿透的；实施下述措施中的至少一个措施：移除在分离区域（2）内的透射层（8），在分离区域内施加吸收层（16），提高在分离区域内的透射层的吸收系数；以及借助于激光沿着分离区域（2）分离芯片区域（1）。 |
| 公开日期 | 2013-12-25 |
| 申请日期 | 2012-04-04 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92025]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 科比尼安·佩尔茨尔迈尔,黑里贝特·齐尔,弗朗茨·埃伯哈德,等. 用于制造半导体本体的方法. CN103477453A. 2013-12-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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