铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 吴巨; 王宝强; 朱战平; 曾一平 |
| 发表日期 | 2007-03-14 |
| 专利号 | CN1929154A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 |
| 英文摘要 | 一种铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层厚的外延层；步骤3：在外延层上沉积第一铟砷层，通过控制第一铟砷层的生长温度确定量子点面密度。步骤4：在第一铟砷层上沉积镓砷间隔层；步骤5：在镓砷间隔层上沉积第二铟砷层，第二铟砷层的生长温度决定了量子的发光波长；步骤6：在第二铟砷层上覆盖镓砷盖层，完成器件的制作。 |
| 公开日期 | 2007-03-14 |
| 申请日期 | 2005-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92029]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴巨,王宝强,朱战平,等. 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法. CN1929154A. 2007-03-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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